Numer produktu producenta:
DMP1012UCB9-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMP1012UCB9-7-DG
Opis:
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Szczegółowy opis:
P-Channel 8 V 10A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount U-WLB1515-9
Magazyn:
12883078
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMP1012UCB9-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
8 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
-6V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1060 pF @ 4 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
890mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
U-WLB1515-9
Pakiet / Walizka
9-UFBGA, WLBGA
Podstawowy numer produktu
DMP1012
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
DMP1011UCB9-7
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
15039
NUMER CZĘŚCI
DMP1011UCB9-7-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.26
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMNH4006SK3-13
MOSFET N-CH 40V 18A/90A TO252
DMN10H099SFG-7
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
TN0201K-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 420MA SOT23-3
