Numer produktu producenta:
DMNH6011LK3Q-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMNH6011LK3Q-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T&R
Szczegółowy opis:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Magazyn:
12949635
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMNH6011LK3Q-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
49.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3077 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.6W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252 (DPAK)
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
DMNH6011
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK12A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 12A TO220SIS
DMP1009UFDF-7
MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN
SSM3J375F,LF
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
