Numer produktu producenta:
DMN95H8D5HCTI
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMN95H8D5HCTI-DG
Opis:
MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 950 V 2.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Magazyn:
18 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12884090
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMN95H8D5HCTI Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
950 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
470 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
ITO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Podstawowy numer produktu
DMN95
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMN95H8D5HCTIDI
DMN95H8D5HCTI-DG
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Affected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXFP5N100PM
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
207
NUMER CZĘŚCI
IXFP5N100PM-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.67
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMPH4015SSS-13
MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
DMP6185SK3-13
MOSFET P-CH 60V 9.4A TO252
DMN6069SFGQ-7
MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
