Numer produktu producenta:
DMN6075S-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMN6075S-7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Magazyn:
160963 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12883593
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMN6075S-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
606 pF @ 20 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
800mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
DMN6075
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMN6075S-7DICT
DMN6075S-7DITR
DMN6075S-7DIDKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMP3050LVT-7
MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26
DMN63D8LW-7
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
DMP3130L-7
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
