DMN6068LK3Q-13
Numer produktu producenta:

DMN6068LK3Q-13

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Numer części:

DMN6068LK3Q-13-DG

Opis:

MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 8.5A (Ta) Surface Mount

Magazyn:

12891942
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

DMN6068LK3Q-13 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
68mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
502 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Podstawowy numer produktu
DMN6068

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
2,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
diodes

DMN2550UFA-7B

MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN

diodes

DMNH6008SCT

MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB

diodes

DMN15H310SK3-13

MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252

diodes

DMN3021LFDF-7

MOSFET N-CH 30V 11.8A 6UDFN