Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
DMN33D8LT-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMN33D8LT-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 115mA (Ta) 240mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Magazyn:
2504 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12902360
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMN33D8LT-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
115mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
0.55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
48 pF @ 5 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
240mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-523
Pakiet / Walizka
SOT-523
Podstawowy numer produktu
DMN33
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
DMN33D8LT-13
Karta danych HTML
DMN33D8LT-13-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMN33D8LT-13DIDKR
DMN33D8LT-13-DG
DMN33D8LT-13DITR
DMN33D8LT-13DICT
Pakiet Standard
10,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
DMN33D8LTQ-7
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1800
NUMER CZĘŚCI
DMN33D8LTQ-7-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.05
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
NUMER CZĘŚCI
DMN33D8LT-7
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4475
NUMER CZĘŚCI
DMN33D8LT-7-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.03
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
NUMER CZĘŚCI
DMN33D8LTQ-13
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
DMN33D8LTQ-13-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.05
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMP2010UFG-13
MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
ZVP4525E6TA
MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6
R6008FNX
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
ZXMN6A25K
MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3