DMN31D5UDJ-7
Numer produktu producenta:

DMN31D5UDJ-7

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Numer części:

DMN31D5UDJ-7-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT963
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 30V 220mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-963

Magazyn:

9129 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12889064
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

DMN31D5UDJ-7 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
220mA (Ta)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
0.38nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
22.6pF @ 15V
Moc - Max
350mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-963
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-963
Podstawowy numer produktu
DMN31

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
31-DMN31D5UDJ-7DKR
DMN31D5UDJ-7-DG
31-DMN31D5UDJ-7CT
31-DMN31D5UDJ-7TR
Pakiet Standard
10,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6L36TU,LF

MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6P35AFU,LF

MOSFET 2P-CH 20V 0.25A US6

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6L40TU,LF

MOSFET N/P-CH 30V 1.6A UF6

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6N7002BFU(T5L,F

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6