Numer produktu producenta:
DMN3135LVT-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMN3135LVT-7-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 30V 3.5A 840mW Surface Mount TSOT-26
Magazyn:
66125 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12887990
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
s4iQ
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMN3135LVT-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.5A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4.1nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
305pF @ 15V
Moc - Max
840mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pakiet urządzeń dostawcy
TSOT-26
Podstawowy numer produktu
DMN3135
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMN3135LVT-7DITR
DMN3135LVT7
DMN3135LVT-7DICT
DMN3135LVT-7DIDKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMN2010UDZ-7
MOSFET 2N-CH 24V 11A 6UDFN
DMG6602SVTQ-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
DMN4034SSD-13
MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO
