Numer produktu producenta:
DMN30H4D0LFDE-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMN30H4D0LFDE-7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 300 V 550mA (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Magazyn:
12891617
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMN30H4D0LFDE-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
300 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
550mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.7V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
187.3 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
630mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
U-DFN2020-6 (Type E)
Pakiet / Walizka
6-PowerUDFN
Podstawowy numer produktu
DMN30
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMN30H4D0LFDE7
DMN30H4D0LFDE-7DITR
DMN30H4D0LFDE-7DIDKR
DMN30H4D0LFDE-7DICT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
DMN30H4D0LFDE-13
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
DMN30H4D0LFDE-13-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.08
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMN2009USS-13
MOSFET N-CH 20V 8SOIC
DMTH10H015SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
SSM6K407TU,LF
MOSFET N-CH 60V 2A UF6
