DMN3030LFG-13
Numer produktu producenta:

DMN3030LFG-13

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Numer części:

DMN3030LFG-13-DG

Opis:

DMN3030LFG-13
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Magazyn:

12989071
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

DMN3030LFG-13 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
751 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
900mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerDI3333-8
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
DMN3030

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
31-DMN3030LFG-13
Pakiet Standard
1

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
OBSOLETE

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
RQ3E080GNTB
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2993
NUMER CZĘŚCI
RQ3E080GNTB-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.10
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
DMN3025LFV-13
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
6899
NUMER CZĘŚCI
DMN3025LFV-13-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.09
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
micro-commercial-components

MCU95N06KY-TP

N-CHANNEL MOSFET,DPAK

micro-commercial-components

SI0301-TP

N-CHANNEL MOSFET,SOT-23

infineon-technologies

IMT65R022M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET