DMN3018SFG-7
Numer produktu producenta:

DMN3018SFG-7

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Numer części:

DMN3018SFG-7-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 8.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Magazyn:

2000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12898893
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

DMN3018SFG-7 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
21mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
697 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerDI3333-8
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
DMN3018

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
DMN3018SFG-7DICT
DMN3018SFG-7DITR
31-DMN3018SFG-7DKR
31-DMN3018SFG-7CT
DMN3018SFG-7-DG
DMN3018SFG-7DIDKR
31-DMN3018SFG-7TR
Pakiet Standard
2,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
taiwan-semiconductor

TSM2318CX RFG

MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23

taiwan-semiconductor

TSM70N600CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

taiwan-semiconductor

TSM60NB1R4CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252

diodes

DMTH10H009SPS-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060