Numer produktu producenta:
DMN2990UDJ-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMN2990UDJ-7-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT963
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 20V 450mA 350mW Surface Mount SOT-963
Magazyn:
15965 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12883876
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMN2990UDJ-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
450mA
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
0.5nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
27.6pF @ 16V
Moc - Max
350mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-963
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-963
Podstawowy numer produktu
DMN2990
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMN2990UDJ7
DMN2990UDJ-7DIDKR
DMN2990UDJ-7DICT
DMN2990UDJ-7DITR
Pakiet Standard
10,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMC1229UFDB-7
MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
DMG8601UFG-7
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN
2N7002DWA-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363