Numer produktu producenta:
DMN2450UFD-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMN2450UFD-7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 900mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
Magazyn:
21382 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12899559
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMN2450UFD-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
900mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
52 pF @ 16 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
400mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
X1-DFN1212-3
Pakiet / Walizka
3-UDFN
Podstawowy numer produktu
DMN2450
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMN2450UFD-7DICT
DMN2450UFD-7DIDKR
DMN2450UFD-7DITR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TSM650P02CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
TSM600P03CS RLG
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
