Numer produktu producenta:
DMN2011UTS-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMN2011UTS-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 21A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Magazyn:
165 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12884833
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMN2011UTS-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
21A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2248 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-TSSOP
Pakiet / Walizka
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Podstawowy numer produktu
DMN2011
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMN2011UTS-13-DG
DMN2011UTS-13DICT
DMN2011UTS-13DIDKR
DMN2011UTS-13DITR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMP22D4UFO-7B
MOSFET P-CH 20V 530MA 3DFN
DMN63D1LT-13
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
DMP2040UVT-13
MOSFET P-CH 20V TSOT26
