Numer produktu producenta:
DMN2011UFDE-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMN2011UFDE-7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 11.7A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Magazyn:
44870 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12882931
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMN2011UFDE-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11.7A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2248 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
610mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
U-DFN2020-6 (Type E)
Pakiet / Walizka
6-PowerUDFN
Podstawowy numer produktu
DMN2011
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMN2011UFDE-7DIDKR
DMN2011UFDE-7DITR
DMN2011UFDE-7DICT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMN3025LFDF-7
MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
DMN62D0U-13
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
DMP4011SK3-13
MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252
