Numer produktu producenta:
DMN2009UFDF-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMN2009UFDF-7-DG
Opis:
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 12.8A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Magazyn:
13002570
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMN2009UFDF-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
27.9 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1083 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
U-DFN2020-6 (Type F)
Pakiet / Walizka
6-UDFN Exposed Pad
Podstawowy numer produktu
DMN2009
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
31-DMN2009UFDF-7
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
G75P04D5
MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L
EPC7019GC
GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
R6027YNXC7G
NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO
