Numer produktu producenta:
DMN10H170SFDE-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMN10H170SFDE-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Magazyn:
12882860
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMN10H170SFDE-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
160mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1167 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
660mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
U-DFN2020-6 (Type E)
Pakiet / Walizka
6-PowerUDFN
Podstawowy numer produktu
DMN10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMN10H170SFDE-13DI
Pakiet Standard
10,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
DMN10H170SFDE-7
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2853
NUMER CZĘŚCI
DMN10H170SFDE-7-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.14
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMP1022UWS-13
MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
DMNH4006SPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 110A PWRDI5060-8
DMN2011UFDF-7
MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
