Numer produktu producenta:
DMN1032UCB4-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMN1032UCB4-7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Szczegółowy opis:
N-Channel 12 V 4.8A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount U-WLB1010-4
Magazyn:
12887394
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMN1032UCB4-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
26mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
450 pF @ 6 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
900mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
U-WLB1010-4
Pakiet / Walizka
4-UFBGA, WLBGA
Podstawowy numer produktu
DMN1032
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMN1032UCB4-7DIDKR
DMN1032UCB4-7DICT
DMN1032UCB4-7DITR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
PMCM6501VNEZ
PRODUCENT
NXP USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2022638
NUMER CZĘŚCI
PMCM6501VNEZ-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.19
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMG4468LK3-13
MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252-3
DMN3020UFDF-7
MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN
DMN66D0LW-7
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
