Numer produktu producenta:
DMN1002UCA6-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMN1002UCA6-7-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 1.1W Surface Mount X4-DSN3118-6
Magazyn:
12902665
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMN1002UCA6-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
-
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
-
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
68.6nC @ 4V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Moc - Max
1.1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-SMD, No Lead
Pakiet urządzeń dostawcy
X4-DSN3118-6
Podstawowy numer produktu
DMN1002
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMN1002UCA6-7DITR
DMN1002UCA6-7DICT
DMN1002UCA6-7DIDKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
ZXMN6A09DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
ZXMN6A09DN8TC
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
ZXMC3AM832TA
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
