Numer produktu producenta:
DMJ70H600SH3
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMJ70H600SH3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 11A TO251
Szczegółowy opis:
N-Channel 700 V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251
Magazyn:
12882196
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMJ70H600SH3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
700 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
643 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
113W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-251
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Podstawowy numer produktu
DMJ70
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
75
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Affected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXTU8N70X2
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
64
NUMER CZĘŚCI
IXTU8N70X2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.71
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMTH3004LK3-13
MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
DMP6185SE-13
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
IRF9620STRLPBF
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
