DMG6302UDW-13
Numer produktu producenta:

DMG6302UDW-13

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Numer części:

DMG6302UDW-13-DG

Opis:

MOSFET 2P-CH 25V 0.15A SOT363
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 25V 150mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-363

Magazyn:

13000662
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

DMG6302UDW-13 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 P-Channel (Dual)
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
150mA (Ta)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10Ohm @ 140mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
0.34nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
30.7pF @ 10V
Moc - Max
310mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-363
Podstawowy numer produktu
DMG6302

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
31-DMG6302UDW-13TR
Pakiet Standard
10,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
diodes

DMC2710UDWQ-7

MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363

diodes

DMN66D0LDWQ-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363

diodes

DMTH4014LDVW-13

MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333

microchip-technology

MSCSM120AM31CTBL1NG

SIC 2N-CH 1200V 79A