Numer produktu producenta:
DMG6301UDW-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMG6301UDW-13-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 25V 240mA 300mW Surface Mount SOT-363
Magazyn:
10000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12883096
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMG6301UDW-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
240mA
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
0.36nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
27.9pF @ 10V
Moc - Max
300mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-363
Podstawowy numer produktu
DMG6301
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
31-DMG6301UDW-13CT
DMG6301UDW-13-DG
31-DMG6301UDW-13TR
31-DMG6301UDW-13DKR
Pakiet Standard
10,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMC2700UDM-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
DMN2008LFU-13
MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
DMN2028UFDH-7
MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI
