Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
DMG3414UQ-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMG3414UQ-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 780mW Surface Mount SOT-23-3
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12884771
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMG3414UQ-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
9.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
829.9 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
780mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
DMG3414
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
DMG3414UQ-13
Karta danych HTML
DMG3414UQ-13-DG
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
10,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
TSM210N02CX RFG
PRODUCENT
Taiwan Semiconductor Corporation
ILOŚĆ DOSTĘPNA
131718
NUMER CZĘŚCI
TSM210N02CX RFG-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.10
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
DMG3414UQ-7
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3023
NUMER CZĘŚCI
DMG3414UQ-7-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.08
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
NUMER CZĘŚCI
TSM250N02CX RFG
PRODUCENT
Taiwan Semiconductor Corporation
ILOŚĆ DOSTĘPNA
70731
NUMER CZĘŚCI
TSM250N02CX RFG-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.09
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMP1012UFDF-13
MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
DMP22D4UFA-7B
MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN0806H4
DMNH4006SPS-13
MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506
DMTH6009LK3Q-13
MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252