Numer produktu producenta:
DMG1016VQ-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMG1016VQ-13-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 20V 870mA, 640mA 530mW Surface Mount SOT-563
Magazyn:
12888703
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMG1016VQ-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
N and P-Channel
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
870mA, 640mA
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
0.74nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
60.67pF @ 16V
Moc - Max
530mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-563, SOT-666
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-563
Podstawowy numer produktu
DMG1016
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMG1016VQ-13DI
Pakiet Standard
10,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMN3401LDW-13
MOSFET 2N-CH 30V 0.8A SOT363
DMP2160UFDB-7R
MOSFET P-CH SOT23
DMG6968UDM-7
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT26
