Numer produktu producenta:
DMC3016LNS-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMC3016LNS-13-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 30V 9A (Ta), 6.8A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Magazyn:
12903991
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMC3016LNS-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
N and P-Channel Complementary
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9A (Ta), 6.8A (Ta)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
9.5nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Moc - Max
1.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerDI3333-8
Podstawowy numer produktu
DMC3016
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
ZXMP3A17DN8TA
MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8SO
NDS9947
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8SOIC
ZXMN2A04DN8TA
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
