Numer produktu producenta:
2N7002H-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
2N7002H-7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 170mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Magazyn:
5089 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12882117
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2N7002H-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
170mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
0.35 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
26 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
370mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
2N7002
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2N7002H-7DICT
2N7002H-7DITR
2N7002H-7DIDKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMP3013SFK-7
MOSFET P-CH 30V DFN2523-6
DMN2100UDM-7
MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
DMTH4004LPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
