Numer produktu producenta:
2N7002DWQ-13-F
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
2N7002DWQ-13-F-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 60V 230mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Magazyn:
10000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12987362
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2N7002DWQ-13-F Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
230mA (Ta)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
50pF @ 25V
Moc - Max
310mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-363
Podstawowy numer produktu
2N7002
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
31-2N7002DWQ-13-FTR
Pakiet Standard
10,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
CAS175M12BM3
SIC 2N-CH 1200V 228A
SIZF5302DT-T1-RE3
MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
HAT2218R0T-EL-E
MOSFET N-CH
