CC-C2-B15-0322
Numer produktu producenta:

CC-C2-B15-0322

Product Overview

Producent:

CoolCAD

Numer części:

CC-C2-B15-0322-DG

Opis:

SiC Power MOSFET 1200V 12A
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 12A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-247

Magazyn:

30 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13373452
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

CC-C2-B15-0322 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Opakowanie
Bulk
Stan części
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
15V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
135mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 5mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 15 V
Vgs (maks.)
+15V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1810 pF @ 200 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
100W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247
Pakiet / Walizka
TO-247-4

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
3892-CC-C2-B15-0322
Pakiet Standard
5

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
vishay

SIRS4302DP-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

taiwan-semiconductor

TSM60NB380CH

600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW

taiwan-semiconductor

TSM60NB1R4CH

600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER

vishay

SI4190BDY-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-