Numer produktu producenta:
CP406-CWDM3011N-CT
Product Overview
Producent:
Central Semiconductor Corp
Numer części:
CP406-CWDM3011N-CT-DG
Opis:
MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 9.93A (Ta) 1.15W (Ta) Surface Mount Die
Magazyn:
12953918
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
CP406-CWDM3011N-CT Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Central Semiconductor
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9.93A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
13mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (maks.)
±20V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.15W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
Die
Pakiet / Walizka
Die
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
1514-CP406-CWDM3011N-CT
Pakiet Standard
340
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0040
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIR870BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
IRFP360PBF
MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
NVTFS6H888NLWFTAG
MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
