Numer produktu producenta:
CP147-MJ11016-WN
Product Overview
Producent:
Central Semiconductor Corp
Numer części:
CP147-MJ11016-WN-DG
Opis:
TRANS NPN DARL 120V 30A DIE
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 30 A 4MHz 200 W Surface Mount Die
Magazyn:
13270462
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
CP147-MJ11016-WN Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
Central Semiconductor
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora
NPN - Darlington
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
30 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
120 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
4V @ 300mA, 30A
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
1mA
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 20A, 5V
Moc - Max
200 W
Częstotliwość - Przejście
4MHz
Temperatura
-65°C ~ 200°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
Die
Pakiet urządzeń dostawcy
Die
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
1514-CP147-MJ11016-WN
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
CP147-CEN1104-CT
IC TRANSISTOR
CP247-MJ11016-WN
TRANS NPN DARL 120V 30A DIE
CP147-2N6284-WN
TRANS NPN DARL 100V 20A DIE