Numer produktu producenta:
MMBT5551
Product Overview
Producent:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Numer części:
MMBT5551-DG
Opis:
HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3L
Magazyn:
56955 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13002092
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
MMBT5551 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
Anbon Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
NPN
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
600 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
160 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
50nA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Moc - Max
350 mW
Częstotliwość - Przejście
100MHz
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3L
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
4530-MMBT5551DKR
4530-MMBT5551TR
4530-MMBT5551CT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BCV46-QR
BCV46-Q/SOT23/TO-236AB
BSR30-QX
BSR30-Q/SOT89/MPT3
BSR19A-QR
BSR19A-Q/SOT23/TO-236AB