Numer produktu producenta:
AOWF10N65
Product Overview
Producent:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Numer części:
AOWF10N65-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 10A TO262F
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-262F
Magazyn:
12849091
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
AOWF10N65 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1645 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-262F
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
AOWF10
Karta katalogowa i dokumenty
Rysunki produktów
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
5202-AOWF10N65
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDD13AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
AON7408
MOSFET N-CH 30V 10A/18A 8DFN
AON6508
MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFN
