Numer produktu producenta:
AOWF095A60
Product Overview
Producent:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Numer części:
AOWF095A60-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 38A TO262F
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 38A (Tj) 34.5W (Tc) Through Hole TO-262F
Magazyn:
12938527
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
AOWF095A60 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Opakowanie
Tube
Seria
aMOS5™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
38A (Tj)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
95mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4010 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
34.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-262F
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
AOWF095
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
5202-AOWF095A60
785-AOWF095A60
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TP65H035G4WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
MCM1567-TP
MOSFET P-CH 20V 9A DFN2020-6J
AOB160A60L
MOSFET N-CH 600V 24A TO263
