Numer produktu producenta:
AOTF3N100
Product Overview
Producent:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Numer części:
AOTF3N100-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220-3F
Szczegółowy opis:
N-Channel 1000 V 2.8A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F
Magazyn:
12849636
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
AOTF3N100 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
830 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
38W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220F
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
AOTF3
Karta katalogowa i dokumenty
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
5202-AOTF3N100
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDPF680N10T
MOSFET N-CH 100V 12A TO220F
FDB9409-F085
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
FQB7N80TM_AM002
MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK
