Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
AOT3N100
Product Overview
Producent:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Numer części:
AOT3N100-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 1000 V 2.8A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12850216
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
AOT3N100 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
830 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
132W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
AOT3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
AOT3N100
Karta danych HTML
AOT3N100-DG
Rysunki produktów
TO220 Pkg Drawing
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
5202-AOT3N100
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXTP2N100
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXTP2N100-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.24
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IXTP2N100P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
136
NUMER CZĘŚCI
IXTP2N100P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.49
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
STP2NK100Z
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
738
NUMER CZĘŚCI
STP2NK100Z-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.37
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDD3N40TF
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
FDM6296
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8POWER33
AON7202L
MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8DFN
FQA55N25
MOSFET N-CH 250V 55A TO3PN