AOSP66923
Numer produktu producenta:

AOSP66923

Product Overview

Producent:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Numer części:

AOSP66923-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 12A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Magazyn:

11261 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12846180
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

AOSP66923 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
AlphaSGT™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
11mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1725 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Podstawowy numer produktu
AOSP669

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
5202-AOSP66923TR
785-1814-6
785-1814-2
785-1814-1
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
alpha-and-omega-semiconductor

AOB2906

MOSFET N-CH 100V TO-263

alpha-and-omega-semiconductor

AOI4130

MOSFET N-CH 60V 6.5A/30A TO251A

onsemi

FQPF4N20

MOSFET N-CH 200V 2.8A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AOD4T60

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252