Numer produktu producenta:
AOSD62666E
Product Overview
Producent:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Numer części:
AOSD62666E-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 60V 9.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
14373 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12849992
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
n99G
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
AOSD62666E Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
755pF @ 30V
Moc - Max
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Podstawowy numer produktu
AOSD62666
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
785-1792-6
5202-AOSD62666ETR
785-1792-2
785-1792-1
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDMD8560L
MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6
AO4892
MOSFET 2N-CH 100V 4A 8SOIC
FD6M045N06
MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15
