Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
AON5820_101
Product Overview
Producent:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Numer części:
AON5820_101-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 20V 10A 1.7W Surface Mount 6-DFN-EP (2x5)
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12845080
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
AON5820_101 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1510pF @ 10V
Moc - Max
1.7W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-WFDFN Exposed Pad
Pakiet urządzeń dostawcy
6-DFN-EP (2x5)
Podstawowy numer produktu
AON582
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
AON5820_101
Karta danych HTML
AON5820_101-DG
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
AON5820
PRODUCENT
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
AON5820-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.22
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AON6980
MOSFET 2N-CH 30V 18A/27A 8DFN
AO8810#A
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8TSSOP
AON6816
MOSFET 2N-CH 30V 17A 8DFN
ECH8667-TL-H
MOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8ECH