Numer produktu producenta:
ALD114913PAL
Product Overview
Producent:
Advanced Linear Devices Inc.
Numer części:
ALD114913PAL-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP
Magazyn:
13216832
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
ALD114913PAL Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Advanced Linear Devices
Opakowanie
Tube
Seria
EPAD®
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Funkcja FET
Depletion Mode
Napięcie dren-źródło (Vdss)
10.6V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12mA, 3mA
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
500Ohm @ 2.7V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.26V @ 1µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2.5pF @ 5V
Moc - Max
500mW
Temperatura
0°C ~ 70°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PDIP
Podstawowy numer produktu
ALD114913
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
1014-1065
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
ALD1108ESCL
MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC
ALD110904PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
ALD310704ASCL
MOSFET 4P-CH 8V 16SOIC
